Новые силовые транзисторы super-junction MOSFET в корпусе TO-220 FullPAK от STMicroelectronics

PTelectronics_23_09_16

Компания STMicroelectronics представила новые силовые транзисторы super-junction MOSFET, включая первый в мире 1500-В транзистор в корпусе TO-220FP с большим промежутком для путей утечки.

Корпус TO-220FP wide creepage оптимален для силовых транзисторов бескорпусных источников питания, которые подвержены опасности загрязнения внутренних поверхностей пылью и другими частицами, способными привести к возникновению высоковольтной дуги между выводами транзистора. Новый корпус увеличивает расстояние между выводами до 4,25 мм и устраняет необходимость в специальной заливке, формовке выводов или герметизации — операциях, применяемых для стандартных корпусов транзисторов с расстоянием между выводами 2,54 мм для предотвращения высоковольтной дуги. Теперь производители источников питания смогут минимизировать отказы своей продукции в эксплуатации и достигнуть высоких стандартов безопасности изделий, не выполняя дополнительные операции. Это упрощает процесс изготовления и повышает производительность.

Корпус TO-220FP wide creepage сохраняет электрические свойства популярного корпуса TO-220FP. Более того, сходные габаритные размеры облегчают модернизацию серийных изделий и обеспечивают совместимость с устоявшимися процессами сборки.

Новый корпус с широким расположением выводов разработан в сотрудничестве с компанией SoluM — одним из корейских лидеров в производстве источников питания. SoluM использует возможности этого корпуса для создания новых решений, более надежных и менее дорогих, чем у конкурентов.

ST наращивает объемы выпуска транзисторов в новом корпусе, удовлетворяя возникший на них немалый спрос. Номенклатура этой линейки включает четыре полностью квалифицированных 600В low-RDS(ON) MDmesh M2 MOSFET-транзистора с номинальными токами от 8 до 34 А.

Транзисторы на 1500 В STFH12N150K5 и 1200 В STFH12N120K5 MDmesh K5 завершат квалификацию к концу Q3 2016.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *