Toshiba расширяет семейство МОП-транзисторов DTMOS IV Super Junction Power MOSFET моделью 650 В

Компания Toshiba Electronics Europe (TEE) расширила семейство высокоэффективных и компактных МОП-транзисторов Super Junction MOSFET, добавив устройства с номинальным напряжением до 650 В. Новые устройства MOSFET 650 В подходят для эксплуатации в средах с флуктуациями сетевого напряжения или очень низкими температурами. Увеличенное максимально допустимое напряжение также обеспечивает повышенную гибкость конструкции, расширяя рамки безопасной эксплуатации.

Новейшие МОП-транзисторы Toshiba MOSFET 650 В созданы на основе разработанного компанией процесса с глубокими канавками super junction DTMOS IV и выпускаются в семи различных компактных корпусах. Устройства могут оснащаться интегрированным импульсным диодом (FRD), который сокращает число компонентов и занимаемое на плате место в схемах высокочастотных переключателей. Серия 650 В рассчитана на использование в таких областях, как переключатели источников питания, дроссели освещения, фотогальванические инверторы и другие приборы, требующие сочетания высокоскоростной и эффективной работы и низкого уровня радиошумов.

Благодаря технологии DTMOS IV новые МОП-транзисторы сочетают сверхнизкие номинальные значения сопротивления открытого канала и уменьшенную площадь кристалла, что позволило сократить размер без потери мощности. Значительным преимуществом процесса с глубокими канавками DTMOS IV по сравнению со стандартным процессом является сниженный термический коэффициент RDS(ON) в зависимости от температуры. Кроме того, технология DTMOS IV способна минимизировать выходную мощность (Coss) МОП-транзистора для улучшения работы резервных систем питания при малых нагрузках. К тому же оптимизированная емкость затвор-сток (Cgd) обеспечивает улучшенное управление переключением dv/dt.

Новая линейка устройств 650 В доступна в корпусах D-PAK, I-PAK, D2-PAK, I2-PAK, TO-220, TO-220SIS и TO-247. Максимальное значение RDS(ON) находится в пределах от 1,2 до 0,055 Ом.