MOSFET с эталонным сопротивлением открытого канала

Компания International Rectifier (IR) представила семейство MOSFET с эталонным значением сопротивления открытого канала RDC(ON) для применения в автомобильном электрооборудовании. Данные устройства предназначены для использования в таких приложениях, как электромеханический усилитель руля, интегрированный стартер с генератором переменного тока, управления бензонасосом и электродвигателями, а также других энергоемких нагрузках в гибридных транспортных средствах и платформах с двигателями внутреннего сгорания.

Новое семейство HEXFET силовых MOSFET с вертикальным расположением затвора транзистора (trench) и высокой плотностью структуры включает устройства с рабочими напряжениями 40–120 В, выполненные в разнообразных корпусах для поверхностного монтажа. Устройства — как со стандартными значениями напряжений, так и с логическими уровнями напряжения управления затвором — устанавливают новый стандарт значения сопротивления в открытом состоянии RDS(ON) для MOSFET в пластмассовых корпусах, предназначенных для применения в автомобильном оборудовании. Могут быть достигнуты следующие эталонные (benchmark) максимальные значения RDS(ON):

• 1,25 мОм при 40 В;
• 2,1 мОм при 60 В;
• 2,6 мОм при 75 В;
• 4 мОм при 100 В.

Ряд устройств, выполненных в корпусе D2Pak-7P, характеризуются максимальным значением тока до 240 А.

MOSFET компании IR для применения в автомобильном электрооборудовании подвергаются статическим и динамическим испытаниям в сочетании со 100%-ной автоматической визуальной проверкой на уровне пластин во избежание каких-либо дефектов. Стандарт AEC-Q101 требует, чтобы сопротивление канала транзистора RDS(ON) изменялось не более чем на 20% после 1000 термоциклов при тестировании. Однако при расширенном тестировании устройств серии AUIRFS максимальное изменение сопротивления RDS(ON) составило менее 10% после 5000 термоциклов, что подтверждает высокое качество и надежность используемых материалов.