Управление рекомбинационными свойствами в слоях полупроводниковой структуры является одним из эффективных методов повышения быстродействия и улучшения ряда других важных характеристик силовых полупроводниковых приборов. В статье рассматриваются аспекты применения одной из таких технологий, основанной на облучении кремниевых структур ускоренными протонами.

Специалисты ЗАО «Протон-Электротекс» (г. Орел) разработали и внедрили в эксплуатацию автоматизированный комплекс для испытания силовых полупроводниковых модулей — АКИМ. В статье приводится описание и состав данного комплекса, описан процесс измерений, рассмотрены достоинства и недостатки.

Представлены результаты исследований мощных тиристоров с прямым управлением светом для импульсных применений. Описывается конструкция нового тиристора с диаметром элемента 4" для коммутации тока амплитудой 100 кА длительностью 700 мкс. Данная работа является продолжением исследований ОАО «Электровыпрямитель» и ФГУП ВЭИ им. В. И. Ленина в области разработки мощных тиристоров с прямым управлением светом.

В статье описаны основные физические принципы, положенные в основу производственного технологического процесса, называемого шовно-роликовой сваркой. Данный тип соединения относится к разновидности резистивной сварки, при этом в качестве электродов выступают ролики, а результатом сварочного процесса является герметичный шов. То есть, говоря о шовно-роликовой сварке, мы говорим о корпусировании, а именно — о герметизации корпусов электронных компонентов.

Говоря об энергосберегающих и природоохранных мероприятиях приенительно к освещению, подразумевают, как правило, замену ламп накаливания на компактные люминесцентные или светодиодные лампы. Но более эффективное энергосбережение достигается управлением яркостью света. В статье описаны методы управления яркостью свечения компактных флуоресцентных ламп и светодиодов при помощи ИС IRS2530D компании International Rectifier.

В статье описаны различные варианты оптимизации конструктивно-технологических исполнений интегральных стабилизаторов напряжения и технологических параметров сборки, обеспечивающие повышение выхода годных изделий.

Металлы и их сплавы широко применяются в производстве электронных изделий (рис. 1). Свойства этих материалов известны и хорошо изучены, но в ряде случаев возникает необходимость экспериментальным путем находить наиболее подходящее решение для специальных задач. К таким задачам могут относиться: многостадийная пайка, пайка неметаллических поверхностей, создание паяных соединений для новых условий эксплуатации, создание теплопроводящих слоев, герметизация электронных приборов и т. д. Подобные задачи требуют проведения испытаний и отработки технологии. В данной статье рассматриваются варианты применения низкотемпературных сплавов в решении специализированных задач.

Известно, что общая надежность радиоэлектронной аппаратуры в значительной степени зависит от надежности силовых компонентов, например выпрямительных мостов в источниках питания. Разработчики постоянно оказываются перед необходимостью выбора как самих силовых компонентов, так и режимов работы, особенно коэффициента нагрузки по мощности. В статье рассматриваются проблемы диагностики силовых компонентов по тепловому сопротивлению «переход–корпус». Приведены результаты исслелований по измерению теплового сопротивления «переход–корпус».

В статье приводятся аналитические выражения, описывающие зависимость ударного тока от длительности и числа импульсов прямого тока, протекающего через силовой полупроводниковый прибор. Путем сравнения теоретических расчетов с результатами компьютерного моделирования проверена адекватность полученных выражений.

Данная статья в большей степени ориентирована на технологов, инженеров и операторов, работающих с установками Kulicke&Soffa. В статье даются рекомендации по выбору инструмента и катушек для установок микросварки, рассматривает часто возникающие вопросы о значениях параметров ультразвуковой (УЗ) микросварки, которые должны быть установлены на оборудовании, в каких единицах они отображаются. Приведены основные технические характеристики установок, а также рекомендуемые рабочие значения для каждой установки и типа сварки.

В статье рассмотрены технологические особенности процессов монтажа Flip-Chip кристаллов интегральных схем на подложки, включая формирование объемных выводов, применение анизотропных проводящих пленок, методов ультразвуковой и термозвуковой пайки и сварки.

Функциональность и надежность выпускаемой на отечественных предприятиях электроники заметно растет. Появляются новые компоненты, увеличивается их количество на плате, меняются температуры пайки и рабочие температуры эксплуатации устройств, стираются грани между производством печатных узлов и электронных компонентов. Но вместе с возможностями устройств во многих случаях увеличивается и сложность их создания. При этом зачастую традиционных технологий для качественной сборки становится недостаточно. Одним из новых решений являются преформы. В данной статье мы рассмотрим, что такое преформы и как они могут быть использованы для повышения эффективности и качества сборки.

Предложены и исследованы способы повышения надежности микроконтактных соединений в радиационно-стойких мощных биполярных транзисторах.

Исследованы причины негерметичности при сборке металлокерамических и металлостеклянных корпусов мощных транзисторов, предназначенных для электронных модулей силовой электроники.

В последние годы достигнуты большие успехи в области производства и применения полупроводниковых приборов, интегральных и гибридных схем. Их характеристики зависят не только от используемых исходных материалов, но и от совершенства технологий, применяемых на различных этапах их изготовления. Надежность выпускаемых устройств напрямую зависит от качества электрических соединений между различными элементами. Ультразвуковая сварка (УЗС) проволочных выводов является одним из наиболее широко применяемых способов создания неразъемных соединений между различными элементами, в частности, присоединения полупроводникового кристалла с функциональными элементами к корпусу прибора, а также металлических выводов к тонкопленочным контактным площадкам планарной стороны кристалла и внешним выводам корпуса.