1200-Вт источник питания AC/DC c интегральным уровнем безопасности SIL2-SIL3 для установки во взрывоопасной зоне класса 2

Компания GM International S.r.l. представила источник электропитания PSD1250A, выполненный в корпусе из анодированного алюминия. Новинка от GMI обеспечивает на выходе 24 В/50 A, а при параллельном включении нескольких модулей равномерное распределение тока между ними снижает рассеиваемую мощность внутри корпуса, что повышает надежность системы.

Устройство предназначено для работы от сети переменного тока в диапазоне напряжения 100–264 В (при изменении частоты сети от 48 до 62 Гц). Также предусмотрено две независимых схемы защиты от перенапряжения: один из контуров ограничивает напряжение на уровне 27 В, а другой — на 29 В.

В случае короткого замыкания нагрузки система электропитания обеспечивает чрезвычайно высокий пиковый ток (около 800 A) в течение 0,5 мс. В результате гарантируется немедленный выход из строя защитного предохранителя или срабатывание автоматического выключателя. Благодаря очень небольшой длительности пикового тока дополнительное оборудование, подключенное к нагрузке, не пострадает и продолжит работу.

Для снижения рассеиваемой мощности, при параллельном соединении, вместо блокирующих диодов, включаемых по схеме «ИЛИ», применяются MOSFET-транзисторы с каналом n-типа (схема управления идеальным OR-диодом или активный идеальный диод). В данной схеме напряжение, приложенное между стоком и истоком, контролируется на выводах модуля питания, а специальный вывод модуля используется для управления транзисторами MOSFET.

Фактически исток и сток транзистора MOSFET служат в качестве анода и катода идеального диода. В случае отказа источника питания, например, если выход полностью нагруженного источника внезапно будет закорочен на «землю», обратный ток временно потечет через MOSFET, находящийся во включенном состоянии. Этот ток поступает из какой-либо нагрузочной емкости и от других источников питания. Активный идеальный диод быстро реагирует на это обстоятельство, выключая MOSFET в течение около 0,5 мкс. Таким образом, минимизируются помехи и генерирование на выходной шине.

Сопротивление MOSFET активного идеального диода — около 1,2 мОм, что дает в результате 3,6 Вт рассеиваемой мощности на каждом из включенных параллельно модулей. В том случае, если параллельно работают шесть модулей с выходным током 50 A для обеспечения резервирования 150+150 A, полная рассеиваемая мощность будет около 22 Вт, что почти в 10 раз меньше по сравнению с решением на диодах Шоттки.

Основные свойства источника питания PSD1250A:

• Коэффициент мощности 0,99 при входном напряжении 230 В, полная нагрузка.
• КПД: > 90%.
• Максимальная мощность рассеивания: 60 Вт.
• Пусковой ток: 30 A (пик.).
• Гальваническая развязка вход-выход: 2500 В (среднеквадратическое значение).
• Выходное напряжение: 24 В (регулировка в диапазоне от 22,8 до 25,2 В).
• Пульсации: ≤ 250 мВ (от пика до пика).
• Время нарастания выходного напряжения: 500 мс (макс.).
• Ток нагрузки: 50 A.
• Параллельное соединение для обеспечения резервирования с распределением тока между модулями ±5%.
• Сигнализация о состоянии выходного напряжения, индикация через ЖК-экран и шину Modbus на PSO1250, выход сухой контакт (SPST) срабатывает в случае перенапряжения/перегрузки по току.
• Диапазон рабочих температур: от –40 до +70 °C.
• Диапазон температур хранения: от –45 до +80 °C.
• Маркировка взрывозащиты II 3 G EEx nA IIC T4 –40 ≤ Ta ≤ 60 °C; IECExEx nA IIC T4, –40 ≤ Ta ≤ 60°C.
• Установка во взрывоопасных зонах класса II, категория взрывоопасной смеси IIC T3.
• Масса: около 2,5 кг.
• Монтаж в 19″ каркас, высота 2U.

ПРОСОФТ