Силовой SiC-диод Шоттки XTR1K1210 от X-REL Semiconductor для экстремальных температур

Компания X-REL Semiconductor представила карбидокремниевый диод Шоттки XTR1K1210 модификации 4H-SiC, обеспечивающий гарантированную работу в диапазоне температур от –60 до +230 °C. SiC-диод XTR1K1210 обладает нулевой энергией обратного восстановления, что позволяет успешно его применять в высокочастотных и высокоэффективных силовых схемах, при этом устройство предъявляет минимальные требования к охлаждению. Цель разработки диода — снижение стоимости конечной схемы и сокращение времени адаптации компонента. Диод доступен как в упрочненном корпусе для сквозного монтажа, так и в виде некорпусированных кристаллов.

Основные характеристики SiC-диода Шоттки XTR1K1210:

• Диапазон рабочих температур: от –60 до +230 °C.
• Обратное напряжение: до 1200 В.
• Прямое напряжение падения, при If = 10 A:
• Vf = 1,7 В, при +25 °C;
• Vf = 3,7 В, при +230 °C.
• Положительный температурный коэффициент, обеспечивающий безопасную работу и простое параллельное включение.
• Чрезвычайно быстрое время переключения, не зависящее от температуры.
• Практически нулевое время обратного и прямого восстановления.
• Корпус повышенной прочности для сквозного монтажа.

Возможные области применения:

• Высоконадежные разработки, автомобильные устройства, авиация, скважинное оборудование.
• Преобразователи напряжения, электроприводы, импульсные источники питания, корректоры коэффициента мощности.