Новое семейство p-канальных транзисторов -30В

 

Компания International Rectifier разработала новое семейство транзисторов -30В в корпусе SO-8 для элементных коммутаторов аккумуляторных батарей и переключателей нагрузки, использующихся в DC-приложениях.

<img class=»wp-image-93183 size-full» src=»https://power-e.ru/wp-content/uploads/platan_04_10_2010.jpg» alt=»Новое семейство p-канальных транзисторов -30В» title=»Новое семейство p-канальных транзисторов -30В» width=»350″ height=»»>

Новые p-канальные транзисторы имеют сопротивление канала в открытом состоянии от 4,6 до 59 мОм для применения в широком круге систем с различным уровнем питания. Применение p-канальных транзисторов устраняет необходимость в использовании схем сдвига уровня или накачки заряда, благодаря чему они получили широкое распространение в системах управления нагрузкой.

В сравнении с предыдущим поколением p-канальных SO-0 транзисторов новое семейство приборов позволяет пропускать более высокие токи, благодаря чему семейство имеет широкий модельный ряд транзисторов с различными уровнями RDS(on) сопротивления для оптимального выбора прибора по критерию теплоотдача/стоимость.

p-канальные MOSFET-транзисторы сертифицированы по классу чувствительности к влаге 1 (MSL1), выпускаются без использования свинца и соответствуют директиве RoHS.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *